浙江省2008年4月自考线性电子电路试卷

湖北自考网来源：时间：2008-11-09 15:52:06

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浙江省2008年4月自考线性电子电路试卷
课程代码：02340
一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流子运动形成_________电流。
2.温度升高时，晶体二极管的Is将_________，VD(on)将_________。
3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。
4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。
5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。
7.电流源电路的主要参数是_________和_________。
8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。
9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。
10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.杂质半导体中多数载流子浓度( )
A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关
C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关
2.一个硅二极管在正向电压VD=0.6V时，正向电流ID为10mA，若VD增大到0.66V(即增加10%)，则电流ID( )
A.约为11mA(也增加10%) B.约为20mA(增大1倍)
C.约为100mA(增大到原先的10倍) D.仍为10mA(基本不变)
3.某晶体三极管的IB为10μA，IC为1mA，ICEO为0.1mA则该管的β值为( )
A. 100 B. 110
C. 90 D. 80
4.已知某三极管VBE=0.7V，VCE=3V，则该管工作在_________区。( )
A.放大 B.饱和
C.截止 D.击穿
5.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量( )
A. IB B. VCE
C. VBE D. IC
6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )
A.非饱和区 B.饱和区
C.截止区 D.击穿区
7.P沟道DMOS管的电路符号为( )
A. B. C. D.
8.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?( )
A.小信号，管子处在饱和区 B.大信号，管子处在放大区
C.小信号，管子处在放大区 D.大信号，管子处在饱和区
9.共发射极电路信号从( )
A.基极输入，集电极输出 B.发射极输入，集电极输出
C.基极输入，发射极输出 D.发射极输入，基极输出
10.电容耦合放大电路不能放大( )
A.直流信号 B.语音信号
C.交变信号 D.高低频混合信号
11.希望放大器具有稳定的输出电压和低的输入电阻，应引入_________负反馈。( )
A.电压串联 B.电压并联
C.电流串联 D.电流并联
12.判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为( )
A.方框图法 B.瞬时极性法
C.短路法 D.开路法
13.若要求仅在输入电压过零时，输出电压发生跳变，除此以外输出电压保持不变，则应选用( )
A.反相比例放大器 B.积分器
C.迟滞比较器 D.过零比较器
14.若要将周期性方波电压转变为三角波电压，则应选用( )
A.反相比例运算电路 B.同相比例运算电路
C.微分运算电路 D.积分运算电路

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结束

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