2007年4月自学考试自考浙江省线性电子电路历年试卷试题真题

湖北自考网来源：时间：2008-11-09 15:28:04

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试卷内容预览

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浙江省2007年4月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1. 硅二极管的正向导通电压约为___________，锗二极管的正向导通电压约为_________。
2. NPN型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_________极电位最高，_________极电位最低。
3. 已知某晶体三极管的电极间电位VBE=0.3V，VCE=0.1V，则该管工作在_________区，由_________材料制造。
4. MOS场效应管分为_________种类型，结型场效应管分为_________种类型。
5. N沟道JFET管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6. 三种晶体管基本组态放大电路中，_________组态输入电阻最高，_________组态输入电阻最低。
7. 小信号放大器的电路模型中，与信号源相联系的放大器参数是_________，和负载相联系的放大器参数是_________。
8. 在输入端，将输入端短接后，如果反馈信号加不到放大器输入端，则为_________反馈，否则为_________反馈。
9. 电压负反馈使输出电阻_________，并联负反馈使输入电阻_________。
10.集成运算放大器用于_________时，要求运放必须工作在线性区，而用作_________时，运放实际上已工作在非线性区。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括内。错选、多选或未选均无分。
1. PN结反向饱和电流IS的值( )
A.只与温度有关 B.只与掺杂浓度有关
C.与掺杂浓度和温度都有关 D.与掺杂浓度和温度都无关
2.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象?( )
A.雪崩击穿 B.齐纳击穿
C.热击穿 D.碰撞击穿
3.工作在放大状态的某PNP晶体三极管，各电极电位关系为( )
A.VC<VB<VE B.VC>VB>VE
C.VC<VE<VB D.VC>VE>VB
4.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则( )
A.管子深饱和 B.发射结反偏
C.管子截止 D.集电结烧坏
5.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )
A.阻挡层 B.耗尽层
C.空间电荷区 D.突变层
6.P沟道JFET管的电路符号为( )

7.场效应管本质上是一个____________器件。( )
A.电压控制电压源 B.电压控制电流源
C.电流控制电压源 D.电流控制电流源
8.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的( )
A.和值 B.差值
C.平均值 D.乘积值
9.设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择( )
A.共射放大 B. 共基放大
C.共集放大 D. 共源放大
10. 电容耦合放大电路( )
A.只能放大直流信号 B.只能放大缓变信号
C.只能放大交变信号 D.既能放大直流信号又能放大交流信号
11. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了( )
A. 提高Avd B. 提高Avc
C. 提高KCMR D. 提高Rod
12.希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流，应引入____________负反馈。( )
A.电压串联 B.电压并联
C.电流串联 D.电流并联
13. 已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?( )
A.0.01 B.0.05
C.0.09 D.0.10
14.若要将周期性三角波电压转
......
......

结束

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